중국의 반도체 기업으로 이직한 뒤 불법 유출된 삼성전자의 국가 핵심기술을 부정 사용해 중국 최초의 18나노 D램 반도체를 개발한 삼성전자 전직 임원과 연구원들이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 1일 삼성전자 전직 임원 양모씨, 전직 연구원 신모씨와 권모씨 등 3명을 산업기술보호법 위반 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속기소 했다.

양씨 등은 삼성전자에서 중국 D램 반도체 회사 CXMT(창신메모리반도체테크놀로지)로 이직한 뒤 CXMT의 ‘2기 개발팀’ 핵심 인력으로 일하며, 불법 유출된 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가 핵심기술을 부정 사용해 개발을 완수한 혐의를 받는다.
앞서 검찰은 삼성전자의 국가 핵심기술 유출 정황을 포착하고 직접수사를 통해 CXMT의 ‘1기 개발팀’에 참여한 삼성전자 전직 부장 김모씨와 연구원 출신 전모씨 등 2명을 각각 구속기소했다.

검찰은 이후 개발 과정에 대한 추가 수사를 진행해 CXMT로 이직해 1기 개발실장을 맡은 김씨가 삼성전자 퇴직자 A씨로부터 D램 공정 국가 핵심기술 유출 자료를 부정 취득한 사실을 밝혀냈다.

이후 CXMT 2기 개발팀의 개발실장으로서 전체 개발을 총괄한 양씨와 공정 개발을 총괄한 신씨, 실무 총괄을 맡은 권씨는 1기 개발팀한테서 유출 자료를 전달받아 이를 바탕으로 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공한 것으로 조사됐다.

신씨 등은 개발에 참여하는 대가로 CXMT로부터 4∼6년간 삼성전자 연봉의 3∼5배에 달하는 15억∼30억원의 높은 급여를 받은 것으로 확인됐다.

이 사건으로 발생한 삼성전자의 매출 감소액은 지난해 기준 5조원으로 추정된다. 향후 피해 규모는 최소 수십조원까지 불어날 것으로 예상된다.

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