누설 전류가 발생하는 이유는 밀도가 낮아서 그래,

반도체 소자가 작아질수록, 반도체 벽이 얇아지게 되고, 

전자가 흡수되고 방출되는 과정에서 작은 균열 틈을 뚫고 나오는거지.

반도체 밑에 그래핀으로 두껍게 코팅하고 건식으로 산화막을 만드는거야.

여기서 모든 그래핀을 산화막으로 만들지 않도록 해야지.

그래핀 위에 그래핀 산화막 코팅이 필요하다는거야.

이중 코팅으로 열전도율을 빠르게 빼내면서 누설 전류까지 막을수있게 되는거지.

0.01나노가 되면 발생할 누설 전류를 막을 핵심 기술이지.

소자 성형으로 해결 할 수 없어.