빛의 크기를 줄이는 난제를 풀었기 때문이지.

빛의 크기를 줄이는 방법은 빛의 밀도를 낮추고 고배율 렌즈로 축소시키는거야.

마스크에서 만들어진 빛을 축소 배율 렌즈로 축소하고, 그 배율렌즈에 맞게

특수한 볼록렌즈를 두고, 그 볼록렌즈 뒤에 바로 오목렌즈를 결합하는거지.

오목렌즈의 경우 거리가 멀어질수록 상의 크기가 작아지는데,

일정한 부분보다 더 뒤로가면 되면 위아래가 바뀌는데, 

그 교착점 바로 앞에서 또 볼록렌즈로 잡아주고 오목렌즈로 축소하는거지.

그런데 단위 면적에 빛의 밀도가 높으면 

과도한 빛의 입자가 겹쳐지면서 상이 겹쳐져,

그래서 빛의 밀도를 낮추는거지.

이 과정에서 빛의 밀도를 10%까지 떨어트리면 10배 더 축소할수있어,

오목렌즈와 볼록렌즈 결합된것을 통해서, 0.01나노가 가능한거지.

3나노의 경우, 여러번 렌즈를 통과시켜 빛의 밀도를 10%까지 낮추고,

그 축소 렌즈로 10배율로 2번만 반복하면 100배가 작아지지.

빛 에너지의 출력량을 조절해서 0.01나노를 완성시킬수있는거야.

반도체에 특이점이 온거지.

이 공정을 4번만 하면 10000배가 작아져,

0.00001나노 불가능할까? 

웨이퍼의 잉곳의 경우도 실리콘을 고열로 두고 위와 아래서 압력으로 계속 압박해서 누르는거지.

실리콘 원자의 밀도는 상승하지 않지만, 실리콘이 촘촘히 겹쳐지면서, 

잉곳의 실리콘 밀도는 높아지지.

더 단단해지고 부피는 작아진다는거야. 이렇게 부피를 줄여서, 잉곳을 응축시키는거지.

그리고 이 웨이퍼를 가지고 그리는거야. 이렇게 응축시킬수록 미세한 실리콘의 구멍이 막아지면서

터널링 효과를 막으면서, 높은 전압에도 버틸수있는 강한 웨이퍼 잉곳이 만들어지는거야.

0.01나노화를 성공으로 이끌 핵심기술은 빛의 크기를 줄이는것과 웨이퍼를 더 촘촘하게 만들어서

터널링 효과를 막도록 하는거지. 그리고 절연층을 더 넣고, 절연체로 코팅을 해주는거지.

이러면 3V CPU 시대도 가능한거야.