0.01 반도체의 핵심은 빛의 크기를 줄이는것인데,

빛의 크기를 줄이려면 빛의 밀도를 균등하게 감소시켜야돼,

그것은 선텐 코팅으로 해결할수있어.

선텐 코팅을 통해서 빛이 균등하게 감소하도록 하는거지.

너무 두껍게 하면 빛의 밀도가 더 낮아지겠지.

빛의 밀도를 25%까지 낮추는거야.

그리고 볼록렌즈로 빛의 크기를 4배까지 줄이는거지.

이 공정을 반복하기만 하면돼,

사진과 같이 상이 맺히기 전에 오목렌즈로 받아주고, 

빛의 궤도를 바꿔서 거기서 다시 오목렌즈로 4배 더 작게 만드는거지.

이 공정을 5번만 반복하면 4 X 4 X 4 X 4 X 4  1024배가 작아져.

3나노가 0.003나노가 된다는거야

처음의 4배를 하고 웨이퍼를 그렸을때 웨이퍼가 잘 그려지면, 그 다음 공정으로 가서

4배 4배 공정을 가는거지.

그리고 잘 그려지면 4배 4배 4배로 가는거야.

이 과정에서 렌즈의 각도나 기울기 여러가지들이 고려되겠지.

6배가 넘어가지 않는게 좋아. 

빛이 단위면적에 과도하게 몰리면서 해상도가 망가지기 때문이야.

그래서 4배~5배 정도로 반복하는거지.

그런데 여기서 물리적으로 이렇게 미세한 0.01나노의 렌즈를 만들수있냐가 중요하겠지.

그래서 3나노 마스크를 10개의 크기에 8개정도 이어붙이는거야.

그러면 마스크의 크기가 10배 정도 커지겠지.

그리고 이 공정을 하면 렌즈의 크기가 절대적으로 10배가 커져,

마스크 100개 크기라면 100배가 커지겠지.

이러면 렌즈의 크기도 10배 100배 커지게 만들어도 되는거야.

그리고 한번에 8개씩, 80개씩 그려내는거지.

그 다음 문제가 바로 터널링 효과야.

미세나노화 되는 과정에서 전자의 크기가 작아지닌깐, 

산화막의 틈 사이를 전자가 이동하는거야.

그래서 밀도가 매우 높은 그래핀으로 웨이퍼에 두껍게 코팅하고, 산화막을 형성하는거야.

그러면 웨이퍼 위에 그래핀과 그래핀 산화막으로 2층으로 나뉘어지겠지.

그러면 그래핀이 열전도율을 높아, 빠르게 열을 배출해내서, CPU의 온도를 낮추고,

거기에 그래핀 산화막이 터널링 효과를 막게 되는거지.

미세 나노화되는 과정에서 반드시 해결해야할 과제가 바로 이 두가지였어.

빛의 크기를 줄이는것, 누설 전류와 터널링 효과를 막는것,

그래핀 + 그래핀 산화막 코팅으로 누설전류 제로를 달성할수도 있어.

처음에는 3나노의 4배를 축소하면 0.75나노가 만들어지겠지.

그 다음은 0.18나노 그 다음은 0.04나노,

3년을 기준으로 4배씩 축소하는거야.

20년내 0.001나노를 목표로 잡을수도 있어.